中海光电所的1纳米芯片的推进速度，也是非常的迅速！
首先就是，1纳米光刻机，立即被安装到了中海光科科技的超洁净机房里，配套设备，就沿用14纳米制程的那一些，有些需要做相应改进和改造的，从第一天就已经着手开展了。
其次就是，大白对所有的技术人员，又开始了“魔窟式训练”，逐个工艺、逐个步骤的进行实景化操作，其根据的是，孔白那一系列1纳米光刻机的技术资料。
第三就是，从第一天就开始进行了大批的原材料采购，为了掩人耳目，还分散通过好几家光科半导体的股东和上下游协作厂家进行的。
其实，就算是这样，也没能逃过一些有心人的眼睛，这个放在后面说。
第四，也是最重要的一点，就是大白老师，对全套的，以芯片为核心的整体架构，进行了全面重新优化设计，最关键的问题，也是最让人惊讶的是：
这种改变之大，堪称是重建整个体系！
特别是，大白经过跟孔白的商量，采用了新的芯片基材，也就是采用了全新的芯片衬底材料！
新的基材是谁也没想到的，那就是钻石！
没错，就是钻石！
钻石是绝佳的半导体材料，是完全可以吊打硅半导体的存在！
其实从孔白开始研究“核能钻石”的时候，他就注意到了钻石具有和硅一样的晶体结构。
同为iv主族的元素，碳元素完全具有做半导体的能力。
比方说二维结构的单层石墨烯，和二维结构卷曲而成的碳纳米管，都具有优异的半导体性能。
但是因为制造工艺的问题，不易进行大尺寸制备，因此就被放弃当做半导体基材了。
这样一来的话，只能退而求其次，用钻石来当做1纳米芯片的基材了！
钻石和硅晶体原子结构一样，同为四面体三维结构排列，因此从理论上讲，钻石和硅都具有半导体的性能特点。
众所周知，晶体管越小，单位截面积集成的晶体管数量就越多，处理器的速度就越快，计算效率也就越高。
但是使用传统的硅基芯片到达1纳米的栅极长度以后，会产生严重的“量子隧穿效应”。
之所以会这样，主要是因为以1纳米为直径的长度，最多只有4个硅单胞，1平方纳米平面最多能容纳13个硅原子；如果是以1纳米为直径的三维球体，最多包含8个硅单胞，球体内硅原子数量，最多只有64个。
什么意思呢？就是1纳米长度中的硅原子太少了，已经阻止不了电子穿透了，成了全导体了。即：量子隧穿效应，将使半导体出现电子失控的现象。
与硅相比，钻石具有高热导率、高击穿电场、高电子迁移率、高载流子饱和速率和低介电常数等优异的特性，满足更高集成度的芯片，对高温、高压、高功率、高频率以及抗辐射的要求。
还有就是，钻石具有更小的单胞和原子尺寸，在同样1纳米的长度内，钻石可以容纳更多的碳原子，不至于像硅那样出现“量子隧穿效应”。
而且，使用钻石可以极大地解决高集成度下，晶体管的热管理失衡问题。<
第124章 划时代意义的“钻石芯片”[1/2页]